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NTMS4503N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
4200
3600
3000
2400
C iss
C rss
T J = 25 ° C
C iss
5
4
3
Q GS
V DS
QT
Q GD
V GS
20
16
12
1800
1200
C oss
2
1
8
4
600
0
V DS = 0 V
V GS = 0 V
C rss
0
I D = 10 A
T J = 25 ° C
0
10
5
0
5
10
15
20
0
5
10
15
20
25
V GS
V DS
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
10
Figure 8. Gate?To?Source and
Drain?To?Source Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 16 V
I D = 10 A
V GS = 4.5 V
t r
t f
t d(off)
t d(on)
9
8
7
6
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
10
3
2
1
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
Variation vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
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